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Transistors MOSFET discrets de puissance des dispositifs de semi-conducteur de transistor de la Manche de N SIHF10N40D-E3

N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
Informations de base
Nom de marque: Vishay Semiconductor
Numéro de modèle: SIHF10N40D-E3
Quantité de commande min: 1 morceau
Délai de livraison: 2~8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
meilleur prix Contactez
Marque: Semi-conducteur de Vishay Certificat: /
Modèle: SIHF10N40D-E3 MOQ: 1 PC
Prix: Negotiated La livraison: 2~8 jours ouvrables
Paiement: T/T
Surligner:

Dispositifs de semi-conducteur discrets de la Manche de N

,

Dispositifs de semi-conducteur EAR99 discrets

,

SIHF10N40D-E3

Spécifications techniques de produit

Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N

 

 

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
HTS 8541.29.00.95
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Configuration Simple
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche N
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 400
Tension de source de porte maximum (v) ±30
Tension maximum de seuil de porte (v) 5
Drain continu maximum (a) actuel 10
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 100
IDSS maximum (uA) 1
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 600@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 15@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte 15
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 526@100V
Dissipation de puissance maximum (mW) 33000
Temps typique d'automne (NS) 14
Temps de montée typique (NS) 18
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 18
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 12
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Paquet de fournisseur TO-220FP
Pin Count 3
Nom de forfait standard TO-220
Support Par le trou
Taille de paquet 16,12 (maximum)
Longueur de paquet 10,63 (maximum)
Largeur de paquet 4,83 (maximum)
La carte PCB a changé 3
Étiquette Étiquette
Forme d'avance Par le trou
Numéro de la pièce SIHF10N40D-E3
Numéro de la pièce bas SIHF10N40
UE RoHS Conforme avec l'exemption
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
HTS 8541.29.00.95
 

Produit Tag:

Dispositifs de semi-conducteur H30R1602 discrets,

IRFB4310PBF,

Dispositifs de semi-conducteur discrets de puissance d'IGBT

Coordonnées
Plus Dispositifs de semi-conducteur discrets
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