Chine Puce électronique d'IC fabricant

Le meilleur service, la meilleure puce

La plus grande fourniture sur un seul point de vente de la Chine des composants

French
Demandez une citation
Produits

Transistor IHW30N160R2 IGBT des dispositifs à semi-conducteurs discrets de puissance H30R1602

H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor
H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor
Informations de base
Nom de marque: Infineon Technoctifier Ilogies/International ReOR
Numéro de modèle: IHW30N160R2FKSA1
Quantité de commande min: 1 morceau
Délai de livraison: 2~8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
meilleur prix Contactez
Marque: Infineon Technologies/redresseur international IOR Certificat: /
Modèle: IHW30N160R2FKSA1 MOQ: 1 PC
Prix: Negotiated La livraison: 2~8 jours ouvrables
Paiement: T/T
Surligner:

Dispositifs à semi-conducteurs discrets H30R1602

,

dispositifs à semi-conducteurs discrets de puissance IGBT

,

IHW30N160R2

Description du produit

 

IHW30N160R2 Transistors IGBTs H30R1602 Série à commutation douce Semi-conducteurs de puissance IC IHW30N160R2FKSA1Série de commutation douce

 

Applications:
• Cuisson par induction
• Applications de commutation logicielle

 

La description:

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT avec diode à corps monolithique
Traits:
• Puissante diode de corps monolithique avec très faible tension directe
• La diode du corps bloque les tensions négatives
• La technologie Trench et Fieldstop pour les applications 1600 V offre :
- distribution de paramètres très serrée
- haute robustesse, comportement stable en température
• La technologie NPT offre une capacité de commutation parallèle facile grâce à
coefficient de température positif en VCE(sat)
• Faible EMI
• Qualifié selon JEDEC1
pour les applications cibles
• Placage de plomb sans plomb ;Conforme RoHS

 

Spécification : IGBT NPT, arrêt de champ de tranchée 1 600 V 60 A 312 W Trou traversant PG-TO247-3-1

Numéro d'articleIHW30N160R2
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
　
Transistors - IGBT - Unique
Série
TrenchStop®
Forfait
Tube
Type d'IGBT
NPT, arrêt de champ de tranchée
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)
1600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
60 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Puissance - Max
312W
Changement d'énergie
4.37mJ
Type d'entrée
Standard
Frais de porte
94 nC
Td (marche/arrêt) @ 25°C
-/525ns
Condition de test
600V, 30A, 10Ohms, 15V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
À travers le trou
Paquet/caisse
TO-247-3
Ensemble d'appareils du fournisseur
PG-TO247-3-1
 

Produit Tag:

Dispositifs de semi-conducteur H30R1602 discrets,

IRFB4310PBF,

Dispositifs de semi-conducteur discrets de puissance d'IGBT

Coordonnées
Plus Dispositifs de semi-conducteur discrets
Chine Bon Qualité Puce électronique d'IC Fournisseur. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.