Transistor bipolaire discret des dispositifs de semi-conducteur de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia BJT

Description de produit

Semi-conducteurs discrets BJT de transistor bipolaire de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

Transistor bipolaire 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN transistor à haute tension de NPN un bas VCEsat (BISS)

Transistor à haute tension discret des produits-Un NPN bas VCEsat (BISS) de semi-conducteur

Description :

Percée à haute tension de NPN basse VCEsat dans le petit transistor du signal (BISS) dans une puissance SOT89 (SC-62) moyenne et un paquet en plastique du dispositif Surface-monté par avance plate (SMD). Complément de PNP : PBHV9040X.

Application :

• Conducteur de LED pour le module à chaînes de LED

• Contre-jour d'affichage à cristaux liquides

• Gestion des véhicules à moteur de moteur

• Commutateur de crochet pour des télécom de câble

• Alimentation d'énergie de mode de commutateur (SMPS)

Caractéristiques :

• Haute tension

• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur VCEsat

• Capacité élevée IC et missile aux performances améliorées de courant de collecteur

• HFE élevé de gain actuel de collecteur chez haut IC

• AEC-Q101 a qualifié

Version de description de nom

Paquet surface-monté en plastique de PBHV8540X SOT89 ; meurent la protection pour le bon transfert de chaleur ; 3 avances

Spécifications techniques de produit

Images :