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Transistors ultra-rapides de diodes de STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT 31A 600V

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors
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Informations de base
Nom de marque: STMicroelectronics
Numéro de modèle: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD
Quantité de commande min: 1 morceau
Délai de livraison: 2~8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
meilleur prix Contactez
Marque: STMicroelectronics Certificat: /
Modèle: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD MOQ: 1 PC
Prix: Negotiated la livraison: 2~8 jours ouvrables
Paiement: T/T
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transistors des diodes 600V

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STGWA19NC60HD

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GWA19NC60HD

Description de Prduct

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT ultra-rapide 31 A 600 V IGBT rapide même avec la diode ultra-rapide

Transistors - IGBTs - 31 A simple, 600 V, IGBT très rapide avec la diode ultra-rapide

 

Détails de produit

 

Description :

Ce dispositif est un IGBT ultra-rapide.

Il utilise le processus avancé de la puissance MESH™ ayant pour résultat un excellent compromis entre la représentation de changement et le bas comportement de sur-état.

 

Caractéristiques

Basse baisse de sur-tension (VCE (s'est reposé))

Diode antiparallèle de récupération ultra-rapide très douce

 

Applications

■Commandes à haute fréquence de moteur

■SMPS et PFC dans le commutateur dur et les topologies résonnantes

 

Produits connexes :

Numéro de la pièce Description
STGWA100H65DFB2 PORTE FIELD-STOP, 650 V, 1 DE FOSSÉ
STGWA15S120DF3 IGBT 1200V 15A TO247-3L
STGWA19NC60HD IGBT 600V 52A 208W TO247
STGWA15H120DF2 IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3

STGWA15M120DF3		 IGBT 1200V 30A 259W
STGWA15H120F2 IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3

 

Produit Tag:

Dispositifs de semi-conducteur H30R1602 discrets,

IRFB4310PBF,

Dispositifs de semi-conducteur discrets de puissance d'IGBT

Coordonnées
Plus Dispositifs de semi-conducteur discrets
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