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Dispositifs semi-conducteurs discrets à diodes incorporées 1N5263B-T

Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
Informations de base
Nom de marque: Diodes Incorporated
Numéro de modèle: 1N5263B-T
Quantité de commande min: 1 pièce
Délai de livraison: 2~8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Marque: Diodes incorporées Certificat: /
Modèle: 1N5263B-T MOQ: 1 pc
Prix: Negotiated Livraison: 2~8 jours ouvrables
Paiement: T/T
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Dispositifs semi-conducteurs discrets à diodes incorporées

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Dispositifs semi-conducteurs discrets 1N5263B-T

Diodes incorporées 1N5263B-T

 

Original Diodes incorporées Modèle constructeur 1N5263B-T
vendeur Maître Modèle de fournisseur 11234142
taper Diode Zener Numéro de lot --
Nombre de colis -- envelopper --
Description du produit DIODE ZENER 56V 500MW DO35
Caractéristiques valeur numérique
Tension - Zener (nom) (Vz) 261
Tolérance ±5 %
Puissance - Max 500mW
Impédance (Max) (Zzt) 150 ohms
Courant - Fuite inverse @ Vr 100nA à 43V
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If 1,1 V à 200 mA
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C
Type de montage À travers le trou
Paquet/caisse DO-204AH, DO-35, axiale
Ensemble d'appareils du fournisseur DO-35

Produit Tag:

Dispositifs de semi-conducteur H30R1602 discrets,

IRFB4310PBF,

Dispositifs de semi-conducteur discrets de puissance d'IGBT

Coordonnées
Plus Dispositifs de semi-conducteur discrets
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